第1部 ドーピングの基礎
第1章 シリコン中の1×10^10から1×10^20cm^−3にわたる濃度範囲のドーパント不純物のフォトルミネッセンス評価
第2章 シリコン基板中のドーパントとその制御
第3章 シリコン中の不純物原子の活性化とそのからくり
第4章 ドーパントによる電子準位とドーパント拡散のミクロな機構：計算科学によるアプローチ
第5章 放射光を用いた光電子ホログラフィーによるシリコン中の高濃度ドーパントクラスターの3次元原子配列構造解析

第2部 ナノシリコンデバイス
第6章 シリコンデバイスへのドーピング技術の事共
第7章 シリコンナノ結晶への不純物ドーピング
第8章 IV族半導体ナノワイヤへの不純物ドーピングと評価
第9章 シリコンへの高濃度ドーピングにおける活性化と不活性化

第3部 パワー半導体
第10章 パワー半導体とドーピング技術
第11章 パワー半導体用シリコンウェーハにむけた中性子核変換ドーピングの現状と今後の展開
第12章 パワー半導体における宇宙線照射による故障のTCADを用いた解析
第13章 300mmSi-IGBT時代へ向けた不純物ドーピング制御の物理的課題と技術的挑戦