電子スピン共鳴の基礎と応用

序 文

第１章　電子スピン共鳴の基礎
1.1　序　論
1.2　磁気モーメントの運動
1.3　Bloch方程式（現象論），分散と吸収
1.4　電子スピン共鳴による占有数の変化
1.5　g値の理論的考察
1.6　線　幅
1.6.1　双極子相互作用による線幅
1.6.2　量子論的考察
1.6.3　同種スピン間双極子相互作用による線幅
1.6.4　空間的にランダムに分布する希薄な同種スピン間の相互作用
1.6.5　一定の距離を隔てて分布する2種のスピン間の相互作用
1.6.6　運動による線幅の先鋭化 (motional narrowing)
1.6.7　交換相互作用による線幅の先鋭化(exchange narrowing)
1.7　磁気緩和
1.7.1　縦磁気緩和
1.7.2　横磁気緩和
参考文献

第２章　電子スピン共鳴の測定
2.1　序　論
2.2　測定の基本原理
2.3　測定装置
2.3.1　電磁波源
2.3.2　空洞共振器（キャビティ）
2.3.3　外部磁場（静磁場）
2.3.4　変調系と検出系
2.4　ESRの測定
2.4.1　試　料
2.4.2　照射，温度変化，ならびに応力（ストレス）下の測定
2.4.3　感　度
2.5　強度と線形
2.6　ESR測定から得られる情報
2.7　ESRとコンピューター
2.7.1　ESR分光計とコンピューター
2.7.2　ESRデータのコンピューター処理
参考文献

第３章　電子スピン共鳴の解析
3.1　序　論
3.2　スピン・ハミルトニアンのパラメーター
3.2.1　g値
3.2.2　微細構造
3.2.3　超微細構造
3.2.4　ESR線幅
3.2.5　緩和時間
3.2.6　信号強度
3.3　応用例
3.3.1　CdS: Feにおける電子スピン共鳴
3.3.2　水素化アモルファスシリコンにおけるダングリングボンドの光誘起アニール
参考文献

第４章　電子核二重共鳴
4.1　序　論
4.2　原　理
4.3　水素化アモルファスシリコン (a-Si:H) におけるダングリングボンド電子のENDOR
4.4　水素化アモルファスシリコンにおける自己束縛正孔のENDOR
参考文献

第５章　金属ならびに半導体における電子スピン共鳴
5.1　序　論
5.2　金属における電子スピン共鳴
5.2.1　伝導電子の電子スピン共鳴
5.2.2　伝導電子による帯磁率
5.2.3　スピン波共鳴
5.3　半導体における電子スピン共鳴
5.3.1　半導体における電子状態
5.3.2　ドナー電子状態
5.3.3　Ge, Siにおける電子のg値
5.3.4　ドナー電子のスピン-格子緩和時間
5.3.5　Ge, Siにおけるスピン-格子緩和時間
5.3.6　伝導電子を通じてのドナー電子のスピン-格子緩和過程
5.3.7　CdSにおけるドナー電子スピン共鳴
5.3.8　CdSにおける格子欠陥の電子スピン共鳴
5.3.9　III-V化合物半導体における伝導電子の電子スピン共鳴
参考文献

第６章　パルス電子スピン共鳴
6.1　序　論
6.2　スピンエコー法
6.3　スピンエコーの核変調効果 (electron spin echo envelope modulation: ESEEM)
6.3.1　実験例
6.4　パルス電子核二重共鳴
6.4.1　パルス電子核二重共鳴の方法
6.4.2　実験例
6.5　a-Si:Hにおける水素に関係した磁気中心モデル
6.6　ラビ振動
6.6.1　実験例
6.7　a-Si:Hにおける再結合過程と再結合中心
参考文献

第７章　物理現象を用いた電子スピン共鳴検出法
7.1　序　論
7.2　光学現象
7.2.1　ルミネッセンス
7.2.2　光誘起吸収
7.2.3　ラマン散乱
7.2.4　光学現象として，その他の現象を用いた電子スピン共鳴検出法
7.2.5　光検出電子核二重共鳴法
7.3　電気現象
7.3.1　光伝導
7.3.2　電気伝導
7.4　音響現象
7.4.1　音　波
参考文献

付　録　電子スピン共鳴に関する書籍リスト
I. 国内編
II. 国外編

索　引